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TPN2R503NC,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPN2R503NC,L1Q
Beschreibung: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta), 35W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2230pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 77 pcs

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