Image is for reference only , details as Specifications
TPN22006NH,LQ
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPN22006NH,LQ |
| Beschreibung: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 710pF @ 30V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
Auf Lager 1618 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
