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TPN2010FNH,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPN2010FNH,L1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 600pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4580 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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