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TPN1110ENH,L1Q
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPN1110ENH,L1Q |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 7nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 600pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 96 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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