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TPH6R30ANL,L1Q
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPH6R30ANL,L1Q |
| Beschreibung: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOP Advance (5x5) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4300pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 58 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.40 | $0.39 | $0.38 |
Minimale: 1
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