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TPH2R608NH,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH2R608NH,L1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 142W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 72nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6000pF @ 37.5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4376 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.63 $1.60 $1.57
Minimale: 1

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