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TPH2900ENH,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH2900ENH,L1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2200pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2170 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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