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TPH1R712MD,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH1R712MD,L1Q
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 78W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 182nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

Auf Lager 2887 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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