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TPCF8B01(TE85L,F,M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPCF8B01(TE85L,F,M
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 330mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket VS-8 (2.9x1.5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 6nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 470pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

Auf Lager 65 pcs

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