TPCF8B01(TE85L,F,M
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TPCF8B01(TE85L,F,M |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSIII |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 110mOhm @ 1.4A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 330mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | VS-8 (2.9x1.5) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 470pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1