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TPCC8A01-H(TE12LQM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPCC8A01-H(TE12LQM
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSV-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.9mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1900pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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