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TPC8111(TE12L,Q,M)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPC8111(TE12L,Q,M)
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)
Gate Charge (Qg) (Max.) 107nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5710pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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