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TPC8111(TE12L,Q,M)
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPC8111(TE12L,Q,M) |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 107nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5710pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 85 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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