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TMBT3906,LM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: TMBT3906,LM
Beschreibung: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 320mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 7218 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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