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TK9P65W,RQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK9P65W,RQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 560mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 80W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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