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TK9A65W,S5X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK9A65W,S5X
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 500mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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