TK8R2A06PL,S4X
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK8R2A06PL,S4X |
Beschreibung: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSIX-H |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 11.4mOhm @ 8A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 36W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 28.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1990pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 430 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.49 | $1.46 | $1.43 |
Minimale: 1