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TK8R2A06PL,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK8R2A06PL,S4X
Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11.4mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 36W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 28.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1990pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 430 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.49 $1.46 $1.43
Minimale: 1

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