TK80S06K3L(T6L1,NQ
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK80S06K3L(T6L1,NQ |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.5mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 100W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK+ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 85nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4200pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 91 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.84 | $0.82 | $0.81 |
Minimale: 1