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TK80S06K3L(T6L1,NQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK80S06K3L(T6L1,NQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK+
Gate Charge (Qg) (Max.) 85nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4200pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.84 $0.82 $0.81
Minimale: 1

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