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TK7S10N1Z,LQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK7S10N1Z,LQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 48mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK+
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.1nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 470pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3163 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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