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TK6Q65W,S1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK6Q65W,S1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 390pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
Minimale: 1

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