Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK6A80E,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK6A80E,S4X
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V TO220SIS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVIII
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 600µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 45W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 32nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.80 $1.76 $1.73
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TSM15N50CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.08
SPU07N60C3BKMA1
Infineon Technologies
$2.06
IRFZ24SPBF
Vishay / Siliconix
$2.36
FQI13N50CTU
ON Semiconductor
$2.34
TSM8N80CI C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
$2.79