TK62N60X,S1F
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK62N60X,S1F |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV-H |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 40mOhm @ 21A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 400W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 135nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 6500pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 61.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 752 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$9.75 | $9.56 | $9.36 |
Minimale: 1