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TK560P65Y,RQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK560P65Y,RQ
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 560mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 380pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3574 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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