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TK50P04M1(T6RSS-Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK50P04M1(T6RSS-Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DP
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2600pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4338 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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