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TK4R4P06PL,RQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK4R4P06PL,RQ
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Betriebstemperatur 175°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.4mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (Max.) 87W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 48.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3280pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4619 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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