Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK4R3A06PL,S4X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK4R3A06PL,S4X
Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 36W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.) 48.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3280pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 530 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.89 $1.85 $1.82
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STP110N8F7
STMicroelectronics
$1.89
TK12A50E,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.88
IRFI510GPBF
Vishay / Siliconix
$1.88
IPA057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
$1.88
IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
$1.85