TK40P03M1(T6RDS-Q)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK40P03M1(T6RDS-Q) |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVI-H |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 10.8mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 17.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1150pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1