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TK40E06N1,S1X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK40E06N1,S1X
Beschreibung: MOSFET N CH 60V 40A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 10.4mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 67W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1700pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 22 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.90 $0.88 $0.86
Minimale: 1

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