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TK3R1E04PL,S1X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK3R1E04PL,S1X
Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 500µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 87W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 63.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4670pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 557 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.66 $1.63 $1.59
Minimale: 1

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