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TK39N60W5,S1VF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK39N60W5,S1VF
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 74mOhm @ 19.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 270W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 135nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4100pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 38.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2460 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.72 $7.57 $7.41
Minimale: 1

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