TK39J60W,S1VQ
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK39J60W,S1VQ |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.9mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 65mOhm @ 19.4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 270W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P(N) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 110nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4100pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 38.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 41 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$9.28 | $9.09 | $8.91 |
Minimale: 1