Image is for reference only , details as Specifications

TK33S10N1Z,LQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK33S10N1Z,LQ
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK+
Gate Charge (Qg) (Max.) 28nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2050pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 11808 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
$0
SI7454DDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STD140N6F7
STMicroelectronics
$0
STD15NF10T4
STMicroelectronics
$0