TK32A12N1,S4X
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK32A12N1,S4X |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 30W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 34nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2000pF @ 60V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 32A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 54 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.33 | $1.30 | $1.28 |
Minimale: 1