TK31V60W5,LVQ
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK31V60W5,LVQ |
Beschreibung: | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 4-VSFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TA) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 109mOhm @ 15.4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 240W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 4-DFN-EP (8x8) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 105nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3000pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 3136 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1