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TK31V60W5,LVQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK31V60W5,LVQ
Beschreibung: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-VSFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Betriebstemperatur 150°C (TA)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 109mOhm @ 15.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 240W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-DFN-EP (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max.) 105nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3000pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3136 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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