Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK31N60W,S1VF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK31N60W,S1VF
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 230W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3000pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.04 $7.88 $7.72
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXFH52N50P2
IXYS
$7.81
IXTH50P10
IXYS
$7.5
STW21N90K5
STMicroelectronics
$7.3
IXTH48N65X2
IXYS
$6.76
IXFQ60N50P3
IXYS
$6.66