TK31E60X,S1X
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK31E60X,S1X |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV-H |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 230W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 65nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3000pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 50 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$4.91 | $4.81 | $4.72 |
Minimale: 1