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TK16J60W,S1VQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK16J60W,S1VQ
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 790µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 130W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P(N)
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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