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TK13E25D,S1X(S

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK13E25D,S1X(S
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 102W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.85 $1.81 $1.78
Minimale: 1

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