TK13A60D(STA4,Q,M)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK13A60D(STA4,Q,M) |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | π-MOSVII |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 430mOhm @ 6.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 50W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220SIS |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 40nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2300pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 2157 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.80 | $2.74 | $2.69 |
Minimale: 1