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TK10E60W,S1VX

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK10E60W,S1VX
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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