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TK100L60W,VQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK100L60W,VQ
Beschreibung: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3PL
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 5mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 18mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 797W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P(L)
Gate Charge (Qg) (Max.) 360nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 15000pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$30.11 $29.51 $28.92
Minimale: 1

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