TK100L60W,VQ
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK100L60W,VQ |
Beschreibung: | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3PL |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 797W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P(L) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 360nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 15000pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 65 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$30.11 | $29.51 | $28.92 |
Minimale: 1