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TK100E08N1,S1X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK100E08N1,S1X
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 255W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 130nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9000pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 141 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.72 $4.63 $4.53
Minimale: 1

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