Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TK100E06N1,S1X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK100E06N1,S1X
Beschreibung: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 255W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10500pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 31 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.38 $2.33 $2.29
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STP6N90K5
STMicroelectronics
$2.38
IPP80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
$2.37
IRL640PBF
Vishay / Siliconix
$2.36
R6024KNX
ROHM Semiconductor
$2.36
IPP65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
$2.36