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SSM6N815R,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6N815R,LF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 4V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.8W (Ta)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP-F
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 290pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)

Auf Lager 1135 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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