Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SSM6N815R,LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SSM6N815R,LF |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1.8W (Ta) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-TSOP-F |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.1nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 290pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Ta) |
Auf Lager 1135 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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