SSM6N815R,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | SSM6N815R,LF |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | U-MOSVIII-H |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 1.8W (Ta) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-TSOP-F |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 3.1nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 290pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2A (Ta) |
Auf Lager 1135 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1