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SSM6N58NU,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6N58NU,LF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 1.8V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 84mOhm @ 2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 6-UDFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 129pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A

Auf Lager 18561 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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