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SSM6N56FE,LM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6N56FE,LM
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket ES6
Gate Charge (Qg) (Max.) 1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 55pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 800mA

Auf Lager 14027 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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