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SSM6N35FE,LM
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SSM6N35FE,LM |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 150mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Basis-Teilenummer | SSM6N35 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3Ohm @ 50mA, 4V |
| Lieferanten-Gerätepaket | ES6 (1.6x1.6) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 9.5pF @ 3V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 180mA |
Auf Lager 7678 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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