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SSM6N35AFE,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6N35AFE,LF
Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate, 1.2V Drive
Teilstatus Active
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket ES6
Gate Charge (Qg) (Max.) 0.34nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 36pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 250mA (Ta)

Auf Lager 7046 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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