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SSM6L09FUTE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6L09FUTE85LF
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 300mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 700mOhm @ 200MA, 10V
Lieferanten-Gerätepaket US6
Gate Charge (Qg) (Max.) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 20pF @ 5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 400mA, 200mA

Auf Lager 6162 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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