Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SSM6J512NU,LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SSM6J512NU,LF |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVII |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.25W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.5nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1400pF @ 6V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Auf Lager 1625 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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