SSM6J507NU,LF
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SSM6J507NU,LF |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVI |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | +20V, -25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.25W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 20.4nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1150pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Auf Lager 66 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.16 | $0.16 | $0.15 |
Minimale: 1