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SSM6J507NU,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM6J507NU,LF
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) +20V, -25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.25W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 20.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1150pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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