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SSM6J215FE(TE85L,F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM6J215FE(TE85L,F
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket ES6
Gate Charge (Qg) (Max.) 10.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 630pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

Auf Lager 7870 pcs

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